### 半导体器件模型与可靠性测试系统 ### 在采购意向： ##################### 采购单位： ### 采购项目名称： ### 半导体器件模型与可靠性测试系统 预算金额： ###.######万元(人民币) 采购品目： A######## 半导体器件参数测量仪 采购需求概况： ### 拟采购半导体器件模型与可靠性测试系统#套，主要采购需求如下：#.可测试器件和形式：MOSFET, SOI, FinFET, TFT, HV/LDMOS, BJT/HBT, JFET, Diode, Resistor 等；#.最大测试电压±###V，最大测试电流±###mA；#.系统噪声电流本底＜#×##-##A#/Hz；#.最小直流电流分辨率##pA；#.晶圆级别带宽：(#)@##-##A#/Hz：#.##Hz-##MHz；(#)@##-## A#/Hz：#.##Hz-##KHz；#. 电压放大器：带宽＜#.##Hz-##MHz，电压噪声本底＜#.##nV/ (@#KHz)；#. 电流放大器：带宽＜#.##Hz-#MHz，电流噪声本底＜#.#pA/ (@#KHz)；#.测试速度（@##-##A#/Hz）：＜## 秒/偏置电压；#. 具备#个高精度源测量单元：量程：±###V/#A，最高输出功率：##W，最小电流测量精度：##fA，电流测量分辨率≤#.#fA，电压测量精度：##μV，四象限操作；##. 脉冲IV 测试：I-T测试的最快采样率≥#M；数据存储容量≥######个点；量程：±###V/#A，最高输出功率：不低于###W，最小电流测量精度：#pA，电压测量精度：##μV，最小脉冲宽度：##μs；##.软件主要指标：(#)软件界面友好易操作，同时满足测试控制、图形显示和数据分析需求；(#)支持#/f 噪声和RTN 噪声测试 ，具有专业的数据分析功能；(#)测试结果可导出供用户后续分析研究，测试数据可直接导入；##. 预留半导体器件建模软件接口， ### 相应提参，建模软件主要要求：(#)支持最新模型，支持 BSIM#.#.#, BSIM-BULK ###.#, BSIM-CMG ###.#, BSIM IMG ###.#；(#)支持常用半导体器件或电路的建模，支持 Global 模型和 Bin 模型建模，支持 Compact 模型、宏模型和 Verilog-A 模型，支持内建BSIM#，BSIM#，BSIMIMG，BSIMCMG RTN模型；##.交货时间#个月内；##. ### 质保期不低于#年。 预计采购时间： ####-## 备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， ### 和采购文件为准。
### 流片及封装采购服务 ### 在采购意向： ##################### 采购单位： ### 采购项目名称： ### 流片及封装采购服务 预算金额： ###.######万元(人民币) 采购品目： C######## 其他研究和试验开发服务 采购需求概况： ### 拟采购流片及封装服务，主要采购需求如下：#.基于##nm HKCPlus+工艺的版图流片及封装：采用##nm HKCPlus+工艺，流片尺寸为#mm×#mm，提供芯片数量不低于###片；采用倒装芯片（Flip Chip）工艺，插入损耗＜-#dB，回波损耗＜-##dB，流片及封装服务交付周期为#个月；#.基于##nm CMOS HPC+工艺的版图流片及封装：采用##nm CMOS HPC+工艺，流片尺寸为#mm#，提供芯片数量不低于###片，高速Die-to-Die互联芯片原型封装，在Nyquist频率下＜-#dB，回波损耗（Return Loss）＜-##dB，流片及封装服务交付周期为#个月；#.基于###nm BCD工艺NTO流片：采用###nm BCD工艺，Via（通孔）尺寸为#um×#um，掩膜层数不少于##层，提供晶圆片数不低于##片，流片服务交付周期为#个月。 预计采购时间： ####-## 备注： 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， ### 和采购文件为准。
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